Подложки и пластины для выращивания полупроводниковых пленок.
Предлагаются пластины Si, Ge, GaAs, InP, InAs, SiC и GaSb, готовые к EPI.
Кристалл и подложки оксид цинка (ZnO).
Описание:
Оксид цинка (ZnO) потенциально может стать предпочтительным материалом подложки для нитрида галлия (GaN). Как и GaN, он имеет структуру вюрцита с постоянными решетки, близкими к GaN (a = 3,249, c = 5,205). Несоответствие решеток между ZnO и GaN составляет всего ε = 0,017. Возможно, наиболее важным является то, что это мягкий податливый материал, который, как считается, лучше воспринимает напряжение решетки, чем растущий слой GaN. Его недостаток состоит в том, что он диссоциирует в аммиаке при температуре выше 600°С. Подложка ZnO является хорошим выбором для эпитаксиального роста пленки GaN.
Оксид цинка (ZnO) имеет широкую запрещенную зону, кристалл ZnO имеет хорошую целостность решетки, что необходимо для изготовления высококачественных полупроводниковых устройств на основе ZnO. Пластины ZnO широко используются в высокоэффективном фотокатализе полупроводников, полупроводниковых фотоэлектронных устройствах и магнитных полупроводниках.
Характеристики:
|
Материал |
Монокристалл ZnO |
Размер (мм) |
25×25×0,5, 10×10×0,5, 10×5×0,5, 5×5×0,5 |
|
Ориентация |
<0001>, <11-20>, |
Полировка |
Одинарная или двойная полированная поверхность (SSP или DSP) |
|
Диапазон прозрачности |
0,4-0,6 мкм; > 50% при 2 мкм |
Шероховатость поверхности |
Rа: ≦0,5нм |
Примечание: доступна настройка специальной ориентации и размера подложки.
Основные свойства:
|
Кристальная структура |
М6 |
Постоянная решетки |
а=3,252 Å с=5,313 Å |
|
Плотность |
е=5,7 |
Tвердость |
4 (мoс) |
|
Точка плавления (℃) |
1975 |
Коэффициент температурного расширения |
а /6,5 х 10-6 /℃ |
|
Удельная теплоемкость (г) |
0,125 кал. |
Константа пироэлектричества |
1200 мВ/к при 300℃ |
|
Теплопроводность (см/К) |
0,006 кал. |
Химическая стабильность |
Нерастворим в воде |
JoomShopping Download & Support
