Kристалл и подложки оксид цинка (ZnO)

Подложки и пластины для выращивания тонких пленок GaN.

Пластины Al₂O₃ (сапфир), Si, GaAs, LiAlO₂, MgAl₂O₄, SiC, ZnO и GaN для выращивания тонких пленок GaN, готовые пластины EPI.

Kристалл и подложки оксид цинка (ZnO).

Описание:

Оксид цинка (ZnO) имеет потенциал стать материалом подложки для нитрида галлия (GaN). Как и GaN, он имеет вюрцитовую структуру, с константами решетки, близкими к GaN (a=3,249, c=5,205). Несовпадение решеток между ZnO и GaN составляет всего ε=0,017. Возможно, наиболее важным является то, что это мягкий податливый материал, который, как полагают, принимает на себя напряжение решетки, предпочитая растущий слой GaN. Его недостатком является то, что он диссоциирует в аммиаке при температурах выше 600°C. ZnO является хорошим выбором для эпитаксиального роста пленки GaN. 

Оксид цинка (ZnO) имеет широкую полосу пропускания, кристалл ZnO обладает хорошей целостностью решетки, что очень важно для изготовления высококачественных полупроводниковых приборов на основе ZnO. Пластины ZnO широко используются в высокоэффективном полупроводниковом фотокатализе, полупроводниковых фотоэлектронных устройствах и магнитных полупроводниках.

Характеристики:

Примечание: доступна настройка специальной ориентации и размера подложки.

Основные свойства: