Подложки MgAl2O4

Пластины и подложки.

Подложки и пластины для выращивания тонких пленок GaN.

Пластины Al₂O₃ (сапфир), Si, GaAs, LiAlO₂, MgAl₂O₄, SiC, ZnO и GaN для выращивания тонких пленок GaN, готовые пластины EPI.

Подложки MgAl₂O_4.

• Доступны подложки из MaAl₂O₄ (или шпинели) со склада и по индивидуальному заказу.
• Максимальный диаметр: 2 дюйма, типичная толщина 0,5/1,0 мм.
• Шероховатость поверхности: Ra <0,5 нм
• Чистая упаковка: чистая комната класса 1000 и мешки класса 100
• Ориентация подложек MgAl₂O₄: <100＞, <110＞, <111＞
• Области применения: эпитаксиальный рост тонких пленок в устройствах сегнетоэлектриков и высокотемпературных сверхпроводников (HTS), выращивание высококачественных пленок GaN, устройства нитридов III-V, объемные акустические волны и микроволновые устройства.

Описание:

Монокристаллы алюмината магния (MgAl₂O₄ или шпинель) широко используются для объемных акустических волн и микроволновых устройств и эпитаксиальных подложек быстрых IC. Также установлено, что MgAl₂O₄ является хорошей подложкой для устройств на основе нитридов III-V. Шпинель (MgAl₂O₄) является одним из кандидатов на такую подложку для GaN LD. Кристаллографическая структура MgAl₂O₄ относится к типу шпинели (Fd3m), а постоянная решетки составляет 8,083 A. MgAl₂O₄- относительно недорогой материал подложки, который был успешно применен для роста высококачественных пленок GaN. MgAl₂O₄ расщеплен в плоскости (100). Полости GaN LD были получены простым расщеплением подложек MgAl₂O₄ вдоль направления (100), что также хорошо подходит для ZnO. Кристалл MgAl₂O₄ очень трудно вырастить из-за сложности сохранения однофазной структуры.

Общие характеристики:

Продукция: