Подложки и пластины для выращивания тонких пленок GaN.
Пластины Al2O3 (сапфир), Si, GaAs, LiAlO2, MgAl2O4, SiC, ZnO и GaN для выращивания тонких пленок GaN, готовые пластины EPI.
Субстраты MgO.
- Кристаллическая структура без двойников, низкая диэлектрическая проницаемость (9,65) и крошечные потери в микроволновом диапазоне
- Максимальный размер: 50x50x30 мм
- Доступны стандартные и индивидуальные субстраты MgO
- Ориентации: <100＞, <110＞ и <111＞
- Шероховатость поверхности: Ra <0,5 нм
- Области применения: выращивание тонких пленок в ферромагнитных, фотоэлектронных, полупроводниковых и высокотемпературных сверхпроводниках (HTSC).
Описание:
Благодаря своей низкой диэлектрической проницаемости и крошечным потерям в микроволновом диапазоне, а также доступности пластин MgO большого размера (диаметр 2 дюйма и даже больше), MgO (кристаллы оксида магния) в настоящее время стал важным промышленным HTS (или высокотемпературным сверхпроводником) тонких монокристаллических пластин. MgO является отличной монокристаллической подложкой для тонких пленок ферро-магнитных, фотоэлектронных, полупроводниковых и высокотемпературных сверхпроводников. Также растет интерес к использованию подложек MgO для элементов III-V, а также к исследованиям, изучающим эпитаксиальное влияние подложек на кристаллизацию полимеров. Другим применением является осаждение ферроэлектрических тонкопленочных покрытий на подложках из оксида магния. Кроме того, растет применение MgO-подложек в области технологии плазменных дисплейных панелей (PDP).
Общие характеристики:
|
Материал |
Кристаллы MgO |
Ориентация |
<100>, <110>, <111> |
|
Ошибка ориентации |
±0,5° |
Максимальный размер |
50х50мм |
|
Типичная толщина |
0,5 мм, 1,0 мм |
Допуск по толщине |
±0,05 мм |
|
Допуск размера |
±0,1 мм |
Чистота поверхности |
SSP или DSP |
|
Шероховатость |
Ra <0,5нм |
Чистота и упаковка |
Чистая комната класса 1000, мешки класса 100 |
Свойства MgO:
|
Метод роста |
Специальная дуговая плавка |
Кристаллографическая структура |
Кубический а = 4,13 Å |
|
Двойная структура |
Двухместный бесплатно |
Ориентация |
<100>, <110>, <111> |
|
Цвет |
Бесцветный |
Диапазон передачи |
от 0,2 до 8 мкм |
|
Плотность |
3,585 г/см 3 |
Температура плавления |
2780 +/- 20 °С |
|
Коэффициент теплового расширения |
11,2*10-6 К-1 |
Диэлектрическая постоянная |
9,65 |
|
Удельное сопротивление |
> 10 17 Ом/см |
Продукция:
|
Артикул |
Размер |
Толщина |
Ориентация |
Отделка поверхности |
|
641-001 |
5x5 мм |
0,5 мм |
<100> |
SSP |
|
641-002 |
5x5 мм |
0,5 мм |
<100> |
DSP |
|
641-003 |
5x5 мм |
0,5 мм |
<110> |
SSP |
|
641-004 |
5x5 мм |
0,5 мм |
<111> |
SSP |
|
641-005 |
10x10 мм |
0,5 мм |
<100> |
SSP |
|
641-006 |
10x10 мм |
0,5 мм |
<100> |
DSP |
|
641-007 |
10x10 мм |
0,5 мм |
<110> |
SSP |
|
641-008 |
10x10 мм |
0,5 мм |
<111> |
SSP |
|
641-009 |
φ12,7 мм |
0,5 мм |
<100> |
SSP |
|
641-010 |
φ12,7 мм |
0,5 мм |
<100> |
DSP |
|
641-011 |
φ25,4 мм |
0,5 мм |
<100> |
SSP |
|
641-012 |
φ25,4 мм |
0,5 мм |
<100> |
DSP |
|
641-013 |
φ50,8 мм |
0,5 мм |
<100> |
SSP |
|
641-014 |
φ50,8 мм |
0,5 мм |
<100> |
DSP |
Техническая визуализация:
Кривые:
1）Типичная кривая рентгеновской дифракции (XRD) кристаллов MgO <100> подложек
2) Типичная шероховатость поверхности подложки MgO <100> и <010>, измеренная с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) в масштабе 5 мкм x 5 мкм.
JoomShopping Download & Support
